- 高频高压硅堆 / High Frequency HV Silicon Stack
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YG030S201G
- 产品资料
- 名 称
- YG030S201G
- 类 别
- 高频高压硅堆
- 反向峰值电压
- 200 VRRM(kV)
- 正向平均电流
- 3000 IF(mA)
- 正向峰值电压
- 288 VFM(V)
- 恢复时间
- 100 Trr(nS)
- 正向浪涌电流
- 120 IFSM(A)
- 外形尺寸
- HVC-351025
- 关键词
- 浏览量
- 6900
器件数据表 器件介绍:
器件名称
高频快速恢复高压整流硅堆
器件型号
YG030S201G
简单参数
3.0A 200KV 100NS
代替型号
2CLG200KV/3A 2CLG200KV3A 2CLG200KV-3A
环保标识
RoHS / SGS
生产品牌
HVGT 半导体
净重量
1510 克(约)
最大额定值与特性：（绝对最大值）
项 目
符 号
条 件
数 据
单 位
反向重复峰值电压
VRRM
TA=25°C
200
kV
反向不重复峰值电压
VRSM
TA=25°C
240
kV
正向平均电流
IFAVM
TA=40°C; 50Hz Half-Sine Wave; Resistance load
3.0
A
正向不重复浪涌电流
IFSM
TA=25°C; 50Hz Half-Sine Wave; 8.3mS
120
A
器件结温
TJ
150
°C
工作温度
TC
-40~+150
°C
储存温度
TSTG
-55~+175
°C
电气特性： Ta=25°C （除非另有规定）
项 目
符 号
条 件
数 据
单 位
正向峰值电压
VFM
at 25°C; at IFAVM
288
V
反向直流电流
IR1
at 25°C; at VRRM
5.0
uA
反向直流电流
IR2
at 100°C; at VRRM
50
uA
反向恢复时间
TRR
at 25°C; IF=0.5IR; IR=IFAVM; IRR=0.25IR
100
nS
P/N结电容量
CJ
at 25°C; VR=0V; f=1MHz
--
pF
外形尺寸：（单位：mm）
HVGT 公司命名:
HVC-351025
